次世代メモリー、18年にも
2016/07/25
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2016/04/25 日経産業新聞より引用
おはようございます、月光です。今日は日経産業新聞より最新の不揮発性メモリ ＳＴＴ―ＭＲＡＭ についてお伝えします。
『ＳＴＴ―ＭＲＡＭは電子の磁石の性質（スピン）を利用するメモリー。電流でスピンの向きを変えて記憶する。従来のＭＲＡＭは電気で書き込み用の装置を動かし、磁界を起こしてデータを書き換えていた。
ＳＴＴ―ＭＲＡＭは微細化しやすく、記憶保持に電気がいらない。高速動作で書き換え回数も多い。消費電力は従来の１００分の１以下になる。ＤＲＡＭやＳＲＡＭの置き換えなどの用途で期待されている。（中略）
インターネットにものがつながるＩｏＴや、人工知能（ＡＩ）の普及に向けて、ＳＴＴ―ＭＲＡＭは注目を集める。センターはＩＢＭから脳型チップ「トゥルーノース」の省電力化の相談を受けたことがあるという。国内のＡＩ研究計画との連携の話も舞い込む。（省略）』
★コメント
磁気トンネル接合素子というコアデバイスを用いた不揮発性メモリの超進化版が基礎研究フェーズを抜けついに製品開発フェーズに進むようだ。
東芝、Samsung等大手デバイスメーカーが量産化に向け急ピッチで動く。300mmウエハでの生産を予定しているらしく、より現実的な響きがある。
電子スピンを応用していることからこの分野を「スピントロニクス」と呼ばれる。2018年発売目標とのこと、世の中がどのように変わるのか楽しみだ。基礎研究から応用へ、このシンプルなフローをいかに早く出来るかが重要なのは言うまでもないが”世界標準を意識した事業展開”に出来るかがさらに重要だろう。IoT、AI今後のキーワードとのマッチングは抜群である。
東芝復活のキーになるか！？日本ものづくりとしてはそこが一番気になるニュースかもしれない。。
